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第一代半導體材料: 主要是指硅 (Si)、鍺素 (Ge) 半導體材料
集成電路、電子信息網(wǎng)絡工程、電腦、手機、電視航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)。
第二代半導體材料:砷化嫁GaAs、銻化銦InSb
主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。
第三代半導體材料:氮化鎵GaN、碳化硅SiC
手機快充目前應用廣泛、激光雷達、射頻、通信等領域。
工藝結構對比
GaN體內(nèi)PN結特性,即無體二極管特性
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D,S間導體通過中間電子層導通,雙向可導通
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耗盡型D-MODE GaN需要負壓關斷,目前使用的為E-MODE GaN,可以實現(xiàn)零電壓關斷
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E-MODE GaN有凹槽型增強型、p型GaN柵增強型、共源共柵增強型
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