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小體積33w氮化鎵快充方案,英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片

2023-09-09 16:22      英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片   小體積33w氮化鎵快充方案    瀏覽次數(shù):()
       近兩年來(lái)市場(chǎng)上不斷出現(xiàn)各類(lèi)新型氮化鎵方案,功率亦出現(xiàn)兩極分化的趨勢(shì),即一種是往120W、150W、200W以上的大功率氮化鎵方案發(fā)展;另一種情況則往實(shí)用型手機(jī)PD快充轉(zhuǎn)變,如45W、30W、20W特別是33W氮化鎵充電器方案等。

        此次為大家?guī)?lái)一款具備爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案,采用英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片。



小體積33w氮化鎵快充方案,英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片
       主控采用亞成微的PWM開(kāi)關(guān)控制芯片RM6601ND,這是一款集成了高壓?jiǎn)?dòng)、GaN驅(qū)動(dòng)器、滿足六級(jí)能效要求的PWM+PFM控制器。支持CCM和QR工作模式,內(nèi)置700V高壓?jiǎn)?dòng),開(kāi)關(guān)頻率最高為130KHz,支持抖頻功能改善EMI,集成斜坡補(bǔ)償和高低壓功率補(bǔ)償。
 
        氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)管采用英諾賽科INN650DA04,這是一顆DFN5*6封裝的氮化鎵開(kāi)關(guān)管,具有小體積,散熱快,開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)勢(shì)。
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        爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案的基本框架,采用RM6601ND+INN650DA04+RM5020T+RMD070N10S配套。

爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案特點(diǎn):

(1)提升功率的同時(shí),進(jìn)一步縮小了充電器體積
(2)并且功耗更低,性能方面還支持20V高壓快充
(3)支持最高27W快充與33W PPS快充
(4)可匹配iPhone系列以及其他主流品牌手機(jī)快充。
(5)在110V 60Hz、220V 50Hz輸入電壓下,所有輸出功率紋波峰峰值均低于200mVp-p這個(gè)國(guó)家充電器紋波要求標(biāo)準(zhǔn)。


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