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INN700D140C氮化鎵700V GaN增強(qiáng)模式功率ic芯片

2023-08-12 16:47      英諾賽科INN700D140C氮化鎵700V    GaN增強(qiáng)模式功率ic芯片    瀏覽次數(shù):()

1.一般說明

700VGaN-on-Silicon增強(qiáng)型功率晶體管的雙面板設(shè)計(jì)T無(wú)鉛封裝 (DFN)用8mmx8mm尺寸。


2.特點(diǎn)

增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

超高開關(guān)頻率

無(wú)反向恢復(fù)收費(fèi)

低柵極電荷、低輸出電荷

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用

靜電防護(hù)

ROHS規(guī)定不含鉛、REACH兼容


3.應(yīng)用程序

交直流轉(zhuǎn)換器

直流一直流轉(zhuǎn)換器

圖騰柱PFC

電池快速充電

高密度功率轉(zhuǎn)換高效率功率轉(zhuǎn)換

INN700D140C氮化鎵700V GaN增強(qiáng)模式功率ic芯片

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